電流狭窄層の形成方法および電流狭窄型面発光レ―ザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 伊賀 健一; 関口 茂昭; 小山 二三夫; 宮本 智之 |
| 发表日期 | 2000-01-14 |
| 专利号 | JP3020167B1 |
| 著作权人 | 東京工業大学長 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 電流狭窄層の形成方法および電流狭窄型面発光レ―ザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 簡略化された製造工程により半導体素子内に電流狭窄層を容易に形成することができる電流狭窄層の形成方法および、該方法により形成した電流狭窄層を有する電流狭窄型面発光レーザ装置を提供する。 【解決手段】 第1反射鏡1および第1電極2上にn型クラッド層6、活性層7、p型クラッド層8、平面状に形成されるトンネル接合9およびn型クラッド層10を順次積層して成るクラッド層3を形成し、クラッド層3上に第2反射鏡4および第2電極5を形成した面発光レーザ装置には、第2電極5を熱処理により隣接するn型クラッド層10の内部に拡散させることにより、トンネル接合9の第2電極5と対応する部分にトンネル効果を消滅させた電流狭窄層11が形成されている。 |
| 公开日期 | 2000-03-15 |
| 申请日期 | 1999-03-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47454]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 東京工業大学長 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伊賀 健一,関口 茂昭,小山 二三夫,等. 電流狭窄層の形成方法および電流狭窄型面発光レ―ザ装置. JP3020167B1. 2000-01-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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