埋め込み構造半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 近藤 康洋 |
| 发表日期 | 2001-11-16 |
| 专利号 | JP3249987B2 |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 埋め込み構造半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 広い範囲(メサ構造,成長条件)において簡単な製作工程で良好な発振特性を示し、成長条件などの変化に影響されず、再現性良く、高い歩留まりで埋め込み構造半導体レーザを作製する。 【構成】 n形InP基板1上にSeドープn形InPバッファ層3,アンドープInGaAsP活性層4およびp形InPクラッド層5をMOVPEによって成長し、フォトリソグラフィおよび選択エッチングによって〈011〉方向にメサストライプ構造を形成し、n形InP基板1の全面にMOVPEによりp形InP電流ブロック層6,Seドープn形InP電流閉じ込め層7を堆積し、n形InP基板1の表面をエッチングしてメサストライプ上部表面のみにp形InP電流ブロック層6が現れるように加工し、p形InP電流ブロック層6およびn形InP電流閉じ込め層7上にp形InPオーバークラッド層8,p形InGaAsPキャップ層9を堆積する。 |
| 公开日期 | 2002-01-28 |
| 申请日期 | 1993-09-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47460]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 近藤 康洋. 埋め込み構造半導体レーザの製造方法. JP3249987B2. 2001-11-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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