Semiconductor blue-green laser diodes
文献类型：专利
| 作者 | FUJII, HIROAKI |
| 发表日期 | 1994-12-06 |
| 专利号 | US5371756 |
| 著作权人 | NEC CORPORATION |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Semiconductor blue-green laser diodes |
| 英文摘要 | A semiconductor blue-green light emitting device in a double heterostructure configuration includes a light emitting layer, a p-type clad layer and an n-type clad layer sandwiching the light emitting layer, a cap layer and a contact layer in this sequence formed on the clad layer. The light emitting layer contains at least one of CdZnSe, ZnSSe, and ZnSe, each of the p-type clad layer and the n-type clad layer contains at least one of ZnSSe, ZnSe and ZnMgSSe, the cap layer is of (AlXGa1-X)0.5In0.5P (0 |
| 公开日期 | 1994-12-06 |
| 申请日期 | 1994-01-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47463]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORPORATION |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | FUJII, HIROAKI. Semiconductor blue-green laser diodes. US5371756. 1994-12-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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