ストライプレーザダイオードおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 近藤 真人; 穴山 親志; 古谷 章; 菅野 真実; 堂面 恵; 棚橋 俊之; 関口 洋 |
| 发表日期 | 1999-06-25 |
| 专利号 | JP2945546B2 |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | ストライプレーザダイオードおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 電流狭窄効率の向上したストライプレーザダイオードをMOCVD法により形成するレーザダイオードの製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 レーザダイオードのクラッド層をInGaAlPのMOCVD成長で形成する場合に、ソースガスにMgのドーパントガスを混入し、結晶面の面方位によらず一様なドーパント濃度を達成する。またソースガスにZnとSeのドーパントガスを混入し、ストライプレーザダイオードのストライプ構造部分に電流が集中するようにドープレベルを設定する。 |
| 公开日期 | 1999-09-06 |
| 申请日期 | 1992-09-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47466]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 近藤 真人,穴山 親志,古谷 章,等. ストライプレーザダイオードおよびその製造方法. JP2945546B2. 1999-06-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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