面発光型半導体レーザ素子
文献类型:专利
作者 | 三宅 輝明; 茨木 晃; 古沢 浩太郎; 石川 徹 |
发表日期 | 2000-10-27 |
专利号 | JP3123846B2 |
著作权人 | 三洋電機株式会社 |
国家 | 日本 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | 面発光型半導体レーザ素子 |
英文摘要 | 【目的】 低抵抗で且つ高反射率可能な半導体多層膜反射鏡膜を有する面発光型半導体レーザ素子を提供することを目的とする。 【構成】 n型Ga0.6Al0.4As第1クラッド層と、該第1クラッド層上に形成されたp型GaAs活性層と、該活性層上に形成されたp型Ga0.6Al0.4As第2クラッド層5と、からなるダブルヘテロ構造部を備え、このダブルヘテロ構造部上にp型AlAs第1半導体層7aとp型Ga0.85Al0.15As第2半導体層7bがi型Ga0.85Al0.15As第2半導体層7cを介して交互に積層されてなる第2半導体多層膜反射鏡7を設けた構成とした。 |
公开日期 | 2001-01-15 |
申请日期 | 1992-12-22 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47478] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 三洋電機株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 三宅 輝明,茨木 晃,古沢 浩太郎,等. 面発光型半導体レーザ素子. JP3123846B2. 2000-10-27. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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