外部共振器半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 加藤 隆志; 濱川 篤志 |
| 发表日期 | 2006-02-03 |
| 专利号 | JP3765117B2 |
| 著作权人 | 住友電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 外部共振器半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 外部温度が変化すると、半導体レーザのゲインがピークとなる波長が変化するため、回折波長で発振しなくなる場合もあった。 【解決手段】 外部共振器半導体レーザの半導体発光素子は、バンドギャップエネルギーの相異なる活性領域を備える。これにより、各活性領域から発光中心波長の異なる光が発せられるため、出射光全体でのゲイン幅を広げる。 |
| 公开日期 | 2006-04-12 |
| 申请日期 | 1995-12-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47484]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 加藤 隆志,濱川 篤志. 外部共振器半導体レーザ. JP3765117B2. 2006-02-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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