High-power semiconductor laser device having current confinement structure and index-guided structure, and oscillating in transverse mode
文献类型：专利
| 作者 | FUKUNAGA, TOSHIAKI; WADA, MITSUGU |
| 发表日期 | 2003-02-04 |
| 专利号 | US6516016 |
| 著作权人 | NICHIA CORPORATION |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | High-power semiconductor laser device having current confinement structure and index-guided structure, and oscillating in transverse mode |
| 英文摘要 | In a semiconductor laser device: a lower cladding layer; a lower optical waveguide layer; a compressive strain quantum well active layer made of Inx3Ga1-x3As1-y3Py3, where 0 |
| 公开日期 | 2003-02-04 |
| 申请日期 | 2000-11-20 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47510]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NICHIA CORPORATION |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | FUKUNAGA, TOSHIAKI,WADA, MITSUGU. High-power semiconductor laser device having current confinement structure and index-guided structure, and oscillating in transverse mode. US6516016. 2003-02-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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