ZnSe化合物半導体薄膜結晶の製造方法及び製造装置
文献类型：专利
| 作者 | 郭 立信; 安田 哲二; 三輪 司郎; 木村 康三; 八百 隆文; 王 太宏; 金 成国; 田中 一宜 |
| 发表日期 | 1999-01-14 |
| 专利号 | JP2875782B2 |
| 著作权人 | 技術研究組合オングストロームテクノロジ研究機構 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | ZnSe化合物半導体薄膜結晶の製造方法及び製造装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 GaAs化合物半導体基板上に、結晶欠陥のないZnSe化合物半導体結晶を成長させ、高品質のZnSe化合物半導体薄膜結晶を製造する。 【解決手段】 GaAs化合物半導体基板上に、ZnSe化合物半導体薄膜結晶を分子線エピタキシーにより形成させるに当り、あらかじめGaAs半導体基板をGaAs表面再構成し、次いで反射率差分光スペクトルの特定エネルギーの反射率差信号の強度が一定になるまでZnのみを分子線照射したのち、ZnとSeを同時に分子線照射し、ZnSe化合物半導体結晶を成長させる。 |
| 公开日期 | 1999-03-31 |
| 申请日期 | 1996-09-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47524]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 技術研究組合オングストロームテクノロジ研究機構 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭 立信,安田 哲二,三輪 司郎,等. ZnSe化合物半導体薄膜結晶の製造方法及び製造装置. JP2875782B2. 1999-01-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。