化合物半導体基板の作製方法
文献类型：专利
| 作者 | 太刀川 正美; 森 英史; 山田 武; 佐々木 徹 |
| 发表日期 | 2003-02-28 |
| 专利号 | JP3403844B2 |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 化合物半導体基板の作製方法 |
| 英文摘要 | 【目的】LDデバイスを作製可能な高品質のInP/GaAs/Siヘテロ基板を、一つの成長方法で作製を可能とし、またSLS層を挿入しなくても高品質の基板が得られる層構造となし、成長方法と層構造の簡略化によって、歩留まりおよび再現性の向上をはかり、高品質のヘテロ基板を安価に、かつ安定して供給できる化合物半導体基板の作製方法を提供する。 【構成】GaAs層、InP層を含み、かつ、その順にSi基板上にヘテロエピタキシャル成長したIII-V族化合物半導体基板を、III族元素の塩化金属とV族元素の水素化物を用いて気相成長法により作製する方法において、少なくとも、第1のInP層をGaAs層上に直接成長する工程と、第2のInP層を第1のInP層より後に形成する工程からなり、第1のInP層の成長温度を、第2のInP層の成長温度よりも低くする。 |
| 公开日期 | 2003-05-06 |
| 申请日期 | 1995-02-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47546]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 太刀川 正美,森 英史,山田 武,等. 化合物半導体基板の作製方法. JP3403844B2. 2003-02-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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