窒化物系半導体発光素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大保 広樹; 林 伸彦 |
| 发表日期 | 2005-04-15 |
| 专利号 | JP3668031B2 |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化物系半導体発光素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 GaN基板の上に形成される窒化物系半導体層の結晶性が良く、長寿命化に適した窒化物系半導体発光素子を提供することを目的とする。 【解決手段】 GaNからなる基板1の上面に、窒化物系半導体からなる発光層を形成してなる窒化物系半導体発光素子において、前記基板の上面のC面に対する傾斜角度が、0.03°以上、10°以下である。 |
| 公开日期 | 2005-07-06 |
| 申请日期 | 1999-01-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47558]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大保 広樹,林 伸彦. 窒化物系半導体発光素子の製造方法. JP3668031B2. 2005-04-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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