光レジスタメモリ
文献类型：专利
| 作者 | 津田 裕之; 黒川 隆志; 岩村 英俊; 植之原 裕行 |
| 发表日期 | 1998-06-19 |
| 专利号 | JP2793381B2 |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 光レジスタメモリ |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】 入射光波長に対する光レジスタメモリの感度特性を緩和すると同時に特性の良いレーザと光ゲートを集積した光レジスタメモリを提供する。 【構成】 多電極のDFB型又はDBR型双安定半導体レーザB1を有する光レジスタメモリであって、前記可飽和吸収部L2に垂直又は所定角度を持って交差する光導波路G1を有し、双安定半導体レーザの片端に光ゲート部G2を設ける。前記光導波路の上面又は下面から光を導波路に結合するグレーティング108あるいはミラー構造を付加する。前記双安定半導体レーザは、活性層104に多重量子井戸(MQW)構造を用いる。 【効果】 光パルス入力に対しての書き込み時間、記憶時間、読みだし時間を任意にかつ容易に制御できるとともに、歪の少ない増幅された出力光パルスを得ることができる。入射波長依存性の小さい光レジスタメモリを構成することができる。 |
| 公开日期 | 1998-09-03 |
| 申请日期 | 1991-06-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47567]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 津田 裕之,黒川 隆志,岩村 英俊,等. 光レジスタメモリ. JP2793381B2. 1998-06-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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