窒化物半導体発光素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 毛利 裕一; 近江 晋 |
| 发表日期 | 2009-11-20 |
| 专利号 | JP4408802B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 亀裂発生を防止しつつ、層厚バラツキの低減された半導体レーザ素子を製造することを主要な目的とする。 【解決手段】 半導体レーザウエハ101は、ストライプ状の溝103が形成された窒化物半導体基板102の上に、半導体レーザーを構成する窒化物半導体膜106が形成されてなる。溝103の少なくとも一部に、窒化物半導体膜106の層厚バラツキを抑制するための低温バッファ層105が設けられている。半導体レーザウエハ101にレーザ導波路107や電極を形成した後、紙面に平行な面に劈開して共振器端面を設け、紙面に垂直かつ分割線108に平行な面で分割することにより半導体レーザチップを得る。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2010-02-03 |
| 申请日期 | 2004-12-24 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47571]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 毛利 裕一,近江 晋. 窒化物半導体発光素子およびその製造方法. JP4408802B2. 2009-11-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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