窒化物系化合物半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 倉本 大 |
| 发表日期 | 2002-08-09 |
| 专利号 | JP3338778B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化物系化合物半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 内部損失の小さい窒化物系化合物半導体レーザ素子を提供し、高性能なレーザ素子を実現する。 【解決手段】 基板上に形成された導電型半導体クラッド層と、半導体光閉じ込め層と、一層または複数層の井戸層およびバリア層の2種類の半導体層より形成される活性層と、半導体光閉じ込め層と、導電型半導体クラッド層とが前記順序で形成されたInXAlYGa1-X-YN系の半導体レーザ素子において、井戸層のバンドギャップをGaNより小さくし、バリア層の全て或いは一部にGaNより大きいバンドギャップを有するInXAlYGa1-X-YNを用いる。 |
| 公开日期 | 2002-10-28 |
| 申请日期 | 1998-04-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47596]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 倉本 大. 窒化物系化合物半導体レーザ素子. JP3338778B2. 2002-08-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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