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Structure and method for planar lateral oxidation in passive devices

文献类型:专利

作者CHUA, CHRISTOPHER L.; FLOYD, PHILIP D.; PAOLI, THOMAS L.; SUN, DECAI
发表日期2003-04-15
专利号US6548908
著作权人XEROX CORPORATION
国家美国
文献子类授权发明
其他题名Structure and method for planar lateral oxidation in passive devices
英文摘要A passive semiconductor device structure is made using planar lateral oxidation to define a buried oxidized semiconductor structure such as a passive waveguide, microlens or DBR mirror stack.
公开日期2003-04-15
申请日期1999-12-27
状态授权
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47599]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位XEROX CORPORATION
推荐引用方式
GB/T 7714
CHUA, CHRISTOPHER L.,FLOYD, PHILIP D.,PAOLI, THOMAS L.,et al. Structure and method for planar lateral oxidation in passive devices. US6548908. 2003-04-15.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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