半導体積層構造の評価方法及び光半導体装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 松本 武; 今井 元 |
| 发表日期 | 2013-07-12 |
| 专利号 | JP5310024B2 |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体積層構造の評価方法及び光半導体装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 プロセス後の光半導体装置の偏波特性の予測を可能とする、半導体積層構造の非破壊的な評価方法及び光半導体装置の製造方法を提供すること。 【解決手段】 半導体基板の上に形成された、活性層となる第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に形成された、クラッド層となる第2の半導体層とを備えた半導体積層構造に、s偏光した第1の光を異なった第1の入射角から順次入射させて第1の発光波長を測定し、更に、前記半導体積層構造に、p偏光した第2の光を異なった第2の入射角から順次入射させて第2の発光波長を測定する第1の工程と、前記第1の入射角に対する前記第1の波長の関係と、前記第2の入射角に対する前記第2の波長の関係に基づいて、前記第1の半導体層を活性層として形成される光半導体装置の偏波依存性を予測する第2の工程とを具備すること。 【選択図】図5 |
| 公开日期 | 2013-10-09 |
| 申请日期 | 2009-01-23 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47617]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松本 武,今井 元. 半導体積層構造の評価方法及び光半導体装置の製造方法. JP5310024B2. 2013-07-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。