Method for forming tapered laser or waveguide optoelectronic structures
文献类型：专利
| 作者 | GOODHUE, WILLIAM D.; REDIKER, ROBERT H.; BOSSI, DONALD E. |
| 发表日期 | 1991-03-12 |
| 专利号 | US4999316 |
| 著作权人 | MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Method for forming tapered laser or waveguide optoelectronic structures |
| 英文摘要 | A method and apparatus for forming tapered thickness and material content of III-V material, or alloys thereof, in particular GaAs and AlGaAs, by gradient thermal heating of substrates during epitaxial growth and the optoelectronic structures formed thereby. |
| 公开日期 | 1991-03-12 |
| 申请日期 | 1989-03-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47619]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | GOODHUE, WILLIAM D.,REDIKER, ROBERT H.,BOSSI, DONALD E.. Method for forming tapered laser or waveguide optoelectronic structures. US4999316. 1991-03-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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