窒化物系化合物半導体およびその結晶成長方法および窒化ガリウム系発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 木村 明隆; 砂川 晴夫; 仁道 正明; 笹岡 千秋 |
| 发表日期 | 2001-01-12 |
| 专利号 | JP3147821B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化物系化合物半導体およびその結晶成長方法および窒化ガリウム系発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 結晶性が良くかつクラック密度の小さく、サファイア基板上に基板とへき開面が一致する窒化ガリウム系化合物半導体層を形成するための結晶成長方法を提供し、結晶性がよく、歩留まりの高い窒化ガリウム系発光素子を実現する。 【解決手段】 基板としてC面サファイア基板を用い、かつ、低温成長バッファ層としてInx Ga1-x N(0.894≦xx Ga1-x N(0≦xx Ga1-x N低温成長バッファ層中のインジウムの再蒸発を抑制する。 |
| 公开日期 | 2001-03-19 |
| 申请日期 | 1997-06-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47628]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 木村 明隆,砂川 晴夫,仁道 正明,等. 窒化物系化合物半導体およびその結晶成長方法および窒化ガリウム系発光素子. JP3147821B2. 2001-01-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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