半導体レーザアレイの操作方法
文献类型：专利
| 作者 | トーマス·エル·パオリ |
| 发表日期 | 2001-11-16 |
| 专利号 | JP3251966B2 |
| 著作权人 | ゼロックス·コーポレーション |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザアレイの操作方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】 モノリシックなレーザ·アレイにおけるレーザ間のサーマル·クロストークを最小にするための方法。 【構成】 2個の光学的に結合された活性領域である増幅器領域56および変調器領域60をもって各レーザを形成し、刺激された放射がその中で生じるようなやり方で増幅器領域にバイアスをかけ、そして、レーザを変調するために変調器領域の電気的な状態を変動させることによって、サーマル·クロストークが減少される。レーザ出力の変調は、Q-スイッチングとして知られる、変調器領域の内部的な光学的損失を変動させるやり方で達成される。その一つの形式において、この損失のコントロールは、変調器領域に加えられる逆バイアス電圧を変動させることによって達成される。レーザについてのQ-スイッチ式の動作の結果として、その動作の間のレーザの冷却操作がもたらされる。 |
| 公开日期 | 2002-01-28 |
| 申请日期 | 1991-12-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47648]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ゼロックス·コーポレーション |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | トーマス·エル·パオリ. 半導体レーザアレイの操作方法. JP3251966B2. 2001-11-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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