面発光半導体レーザ製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大礒 義孝; 黒川 隆志 |
| 发表日期 | 2001-01-12 |
| 专利号 | JP3147328B2 |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 面発光半導体レーザ製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 直接接着法を用いた電流狭窄構造を有する面発光レーザを提供する。 【解決手段】 面発光レーザ製造方法は、第1の導電型を有するGaAs基板10上に第1の光反射鏡11としてのエピタキシャル成長と、InP基板17上にクラッド層14,活性層15,第2の導電型を有するクラッド層16からなる積層構造と、第2の導電型を有するGaAs基板19に第2の光反射鏡18としてのエピタキシャル成長とをそれぞれ形成してなり、前記第1の光反射鏡11であるエピタキシャル成長に酸素を閉領域を残してイオン注入12し、前記第1の反射鏡11と前記InP基板17上の積層構造とを密着させ加熱·接着させ、前記接着する工程を経た前記積層構造から前記InP基板17を除去し、前記InP基板17が除去された前記積層構造と前記第2の光反射鏡18とを密着させ、加熱·接着する工程からなる。 |
| 公开日期 | 2001-03-19 |
| 申请日期 | 1995-10-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47655]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大礒 義孝,黒川 隆志. 面発光半導体レーザ製造方法. JP3147328B2. 2001-01-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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