Ridge-waveguide semiconductor laser
文献类型：专利
| 作者 | SATO, FUMIHIKO |
| 发表日期 | 1991-08-20 |
| 专利号 | US5042045 |
| 著作权人 | OMRON CORPORATION |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Ridge-waveguide semiconductor laser |
| 英文摘要 | A semiconductor laser includes a substrate (11) on which there are successively formed a first cladding layer (12), an active layer (13), a second cladding layer (14), an etching-stop layer (15) exhibiting little absorptivity with respect to light emitting by the active layer, and a third cladding layer (16). The third cladding layer is etched away down to the etching stop layer with the exception of a ridge portion of the third cladding layer. |
| 公开日期 | 1991-08-20 |
| 申请日期 | 1990-02-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47660]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OMRON CORPORATION |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | SATO, FUMIHIKO. Ridge-waveguide semiconductor laser. US5042045. 1991-08-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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