AlGaInN-based lasers with dovetailed ridge
文献类型：专利
| 作者 | BEHFAR, ALEX A. |
| 发表日期 | 2009-06-02 |
| 专利号 | US7542497 |
| 著作权人 | MACOM TECHNOLOGY SOLUTIONS HOLDINGS, INC. |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | AlGaInN-based lasers with dovetailed ridge |
| 英文摘要 | A process for fabricating lasers capable of emitting blue light wherein a GaN wafer is etched to form laser waveguides and mirrors using a temperature of over 500° C. and an ion beam in excess of 500 V in CAIBE, and wherein said laser waveguide has inwardly angled sidewalls. |
| 公开日期 | 2009-06-02 |
| 申请日期 | 2007-07-18 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47673]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MACOM TECHNOLOGY SOLUTIONS HOLDINGS, INC. |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | BEHFAR, ALEX A.. AlGaInN-based lasers with dovetailed ridge. US7542497. 2009-06-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。