半導体の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 尾江 邦重; 岡本 浩 |
| 发表日期 | 2003-03-07 |
| 专利号 | JP3406504B2 |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】従来よりも低い温度で半導体材料の成長が可能で、かつ原料ガス気流中もしくは基板表面との反応性の低い原料ガスを用いて、ガリウムとビスマスを少なくとも含む良質の半導体材料を歩留まり良く製造する。 【解決手段】有機金属を用いた気相成長法により、ガリウムとビスマスを少なくとも含む半導体材料を成長する方法において、ガリウムの原料として、トリイソプロピルガリウムを用いる。特に、良質のGaInAsBi混晶またはGaAsSbBi混晶等が効率良く得られる。 |
| 公开日期 | 2003-05-12 |
| 申请日期 | 1998-01-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47685]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 尾江 邦重,岡本 浩. 半導体の製造方法. JP3406504B2. 2003-03-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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