半導体発光素子及び半導体発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 上山 智; 鈴木 政勝; 上野山 雄; 大仲 清司; 高森 晃; 萬濃 正也; 木戸口 勲; 足立 秀人; 石橋 明彦; 福久 敏哉 |
| 发表日期 | 2001-11-22 |
| 专利号 | JP3252779B2 |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 しきい値電流の小さい半導体レーザを提供する。 【解決手段】 LiTaO3基板201上にAlN層202、n-AlzGa1-zN層203、AlyGa1-yN 第1光ガイド層204、InxGa1-xN/GaN多重量子井戸活性層205、AlyGa1-yN 第2光ガイド層206、p-AlzGa1-zNクラッド層207を連続的に形成する。エッチングによりリッジストライプ208を形成し、SiO2絶縁膜209を堆積した後、電流注入のためにSiO2絶縁膜209に開口部210および211を形成する。最後にアノード電極212およびカソード電極213を形成する。このウルツ鉱型InGaN/AlGaN量子井戸半導体レーザを構成する層構造は、800〜1100℃の範囲で作製される。したがって成長終了後に室温に戻された結晶と基板との熱膨張係数差によって発生する歪により、半導体レーザのしきい値電流が小さくなる。 |
| 公开日期 | 2002-02-04 |
| 申请日期 | 1996-01-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47708]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 上山 智,鈴木 政勝,上野山 雄,等. 半導体発光素子及び半導体発光装置. JP3252779B2. 2001-11-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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