Semiconductor laser device having lower threshold current
文献类型：专利
| 作者 | SHIMIZU, HITOSHI; KUMADA, KOJI |
| 发表日期 | 2005-06-28 |
| 专利号 | US6912236 |
| 著作权人 | FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD., THE |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Semiconductor laser device having lower threshold current |
| 英文摘要 | A semiconductor laser device includes a QW active layer structure including a GaxIn1−xAs1−ySby layer wherein 0.3≦1−x and 0.003≦y≦0.008, or a QW active layer structure including a GaxIn1−xAs1−y1−y2Ny1Sby2 layer wherein 0.3≦1−x, 0 |
| 公开日期 | 2005-06-28 |
| 申请日期 | 2001-07-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47729]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD., THE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | SHIMIZU, HITOSHI,KUMADA, KOJI. Semiconductor laser device having lower threshold current. US6912236. 2005-06-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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