窒化ガリウム系化合物半導体及び素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 上村 俊也; 柴田 直樹; 伊藤 潤 |
| 发表日期 | 2002-08-30 |
| 专利号 | JP3344257B2 |
| 著作权人 | 豊田合成株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化ガリウム系化合物半導体及び素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】GaN 系化合物半導体のp型低抵抗化と電極の合金化における特性を良好とすること。 【解決手段】GaN のn+ 層13、n型GaN のクラッド層14、発光層15、Mgの添加されたAlGaN のクラッド層16、Mgの添加されたGaN のコンタクト層17、透光性電極18A、電極18Bを有する発光素子の製法において、n+ 層13の上側にある層の一部をエッチングして、n+ 層13の表面を露出させ、コンタクト層17上に透光性電極18Aを形成し、n+ 層13の露出面に電極18Bを形成し、少なくとも酸素を含むガス中において、500~600℃の範囲で熱処理し、p型低抵抗化と合金化処理を同時に行う。低い温度でも極めて良好な低抵抗が得られる。 |
| 公开日期 | 2002-11-11 |
| 申请日期 | 1997-01-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47749]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 豊田合成株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 上村 俊也,柴田 直樹,伊藤 潤. 窒化ガリウム系化合物半導体及び素子の製造方法. JP3344257B2. 2002-08-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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