Self-pulsating semiconductor laser
文献类型：专利
| 作者 | HIRATA, SHOJI |
| 发表日期 | 1999-10-12 |
| 专利号 | US5966397 |
| 著作权人 | SONY CORPORATION |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Self-pulsating semiconductor laser |
| 英文摘要 | A semiconductor laser includes an n-type GaAs current blocking layer formed at both sides of a stripe portion made of an upper-lying portion of a p-type AlGaInP cladding layer, p-type GaInP intermediate layer and p-type GaAs cap layer to form a current blocking structure, and the p-type AlGaInP cladding layer has a thickness d1 at both sides of the stripe portion and a thickness d2 outside them (0 |
| 公开日期 | 1999-10-12 |
| 申请日期 | 1997-11-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47753]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORPORATION |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | HIRATA, SHOJI. Self-pulsating semiconductor laser. US5966397. 1999-10-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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