テ-パカツプリング素子の製造方法
文献类型:专利
作者 | 浜田 健; 渋谷 隆夫; 和田 優; 清水 裕一; 伊藤 国雄; 寺本 巖 |
发表日期 | 1996-03-13 |
专利号 | JP2502494B2 |
著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
国家 | 日本 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | テ-パカツプリング素子の製造方法 |
英文摘要 | PURPOSE:To obtain a taper coupling element having a gentle inclination of a tapered part by forming a GaAlAs clad layer, GaAs core layer and GaAlAs cap layer on a (100)GaAs substrate and etching chemically these layers down to the core layer from above the cap layer thereby forming a step. CONSTITUTION:The Ga0.5Al0.5As clad layer, the GaAs core layer 3 and the Ga0.3Al0.7As cap layer 4 are successively formed on the (100)GaAs substrate These layers are chemically etched down to the boundary face of the layer 3 and the layer 2 in the direction to form the step. After the cap layer 4 is removed by selective etching, the Ga0.95Al0.05As core layer 5 and the Ga0.5Al0.5As clad layer 6 are grown, by which the taper coupling element having the gentle inclination of the taper part is obtd. |
公开日期 | 1996-05-29 |
申请日期 | 1984-08-01 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47775] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 浜田 健,渋谷 隆夫,和田 優,等. テ-パカツプリング素子の製造方法. JP2502494B2. 1996-03-13. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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