CRECIMIENTO EPITAXIAL EN FASE VAPOR DE SEMICONDUCTORES DE COMPUESTOS DEL GRUPO III-V, A BASE DE INDIO, IMPURIFICADOS CON HIERRO.
文献类型：专利
| 作者 | WILT, DANIEL PAUL; LONG, JUDITH ANN; JOHNSTON, WILBUR DEXTER, JR. |
| 发表日期 | 1993-05-16 |
| 专利号 | ES2036260T3 |
| 著作权人 | AMERICAN TELEPHONE & TELEGRAPH COMPANY |
| 国家 | 西班牙 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | CRECIMIENTO EPITAXIAL EN FASE VAPOR DE SEMICONDUCTORES DE COMPUESTOS DEL GRUPO III-V, A BASE DE INDIO, IMPURIFICADOS CON HIERRO. |
| 英文摘要 | UNA REGION SEMICONDUCTORA III-V, A BASE DE INDIO, DOPADA CON HIERRO (20), SE DEPOSITA SOBRE UN SUBSTRATO (22) A PARTIR DE UN GAS PRECURSOR QUE COMPRENDE UN GAS INERTE, TAL COMO NITROGENO, UN COMPUESTO DOPANTE VOLATIL, TAL COMO FECL2, UN COMPUESTO DE INDIO VOLATIL, TAL COMO INCL Y UN HIDRURO DEL GRUPO V, TAL COMO FOSFINA. SE LIMITA LA CONCENTRACION DE HIDROGENO EN EL GAS PRECURSOR PARA EVITAR EXCESIVA PRECIPIATCION DE HIERRO. SE HA ENCONTRADO POSIBLE PRODUCIR REGIONES INP CON UNA RESISTIVIDAD EN EXCESO DE 108 OHMIOS-CM. |
| 公开日期 | 1993-05-16 |
| 申请日期 | 1988-01-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47788]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | AMERICAN TELEPHONE & TELEGRAPH COMPANY |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | WILT, DANIEL PAUL,LONG, JUDITH ANN,JOHNSTON, WILBUR DEXTER, JR.. CRECIMIENTO EPITAXIAL EN FASE VAPOR DE SEMICONDUCTORES DE COMPUESTOS DEL GRUPO III-V, A BASE DE INDIO, IMPURIFICADOS CON HIERRO.. ES2036260T3. 1993-05-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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