飽和性吸収体を備えた半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | ジヨエル·ジヤツケ; ドウニ·ルクレルク; ジヤン-ルイ·リーバン; デイデイエ·シゴーニユ |
| 发表日期 | 2001-03-09 |
| 专利号 | JP3167042B2 |
| 著作权人 | アルカテル·エヌ·ブイ |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 飽和性吸収体を備えた半導体レーザ |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】飽和性吸収体を有する半導体レーザを提供する。 【構成】本発明のレーザにおいては、光導波路の連続する2つのセクションが光増幅器(S1)及び飽和性吸収体(S2)を構成する。本発明によれば、該導波路の受動セクション(S3)が該導波路に後続している。本発明は特に、光信号処理に使用される。 |
| 公开日期 | 2001-05-14 |
| 申请日期 | 1992-02-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47826]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | アルカテル·エヌ·ブイ |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ジヨエル·ジヤツケ,ドウニ·ルクレルク,ジヤン-ルイ·リーバン,等. 飽和性吸収体を備えた半導体レーザ. JP3167042B2. 2001-03-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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