Low voltage laser diodes on {20-21} gallium and nitrogen containing substrates
文献类型：专利
| 作者 | RARING, JAMES W.; SCHMIDT, MATHEW; POBLENZ, CHRISTIANE |
| 发表日期 | 2017-12-26 |
| 专利号 | US9853420 |
| 著作权人 | SORAA LASER DIODE, INC. |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Low voltage laser diodes on {20-21} gallium and nitrogen containing substrates |
| 英文摘要 | A low voltage laser device having an active region configured for one or more selected wavelengths of light emissions. |
| 公开日期 | 2017-12-26 |
| 申请日期 | 2016-11-29 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47831]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SORAA LASER DIODE, INC. |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | RARING, JAMES W.,SCHMIDT, MATHEW,POBLENZ, CHRISTIANE. Low voltage laser diodes on {20-21} gallium and nitrogen containing substrates. US9853420. 2017-12-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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