基于Y波导的双分布反馈激光器双放大器的制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 孔端花; 朱洪亮; 梁松 |
| 发表日期 | 2011-08-31 |
| 专利号 | CN101938083B |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 基于Y波导的双分布反馈激光器双放大器的制作方法 |
| 英文摘要 | 一种基于Y波导的双分布反馈激光器+双放大器的制作方法，包括：在N型磷化铟衬底上依次外延制作InP缓冲层、下波导层、多量子阱有源区、上波导层和光栅层；制作无源波导区，另一侧为有源波导区；制作光栅；在有源波导区和无源波导区上依次外延制作光栅盖层、光限制层和电接触层；在电接触层上向下刻蚀出Y型脊波导；在光栅层的上面及Y型脊波导的表面生长二氧化硅绝缘层；将Y型脊波导上面的二氧化硅绝缘层腐蚀掉；在有源波导区上的Y型脊波导两臂的中间制作第一电隔离沟，在有源波导区上的DFB区和SOA区之间制作第二电隔离沟；在第一电隔离沟的两侧及第二电隔离沟的两侧制作P面电极；将N型磷化铟衬底减薄；在减薄后的N型磷化铟衬底的下面制作N面电极，完成器件的制作。 |
| 公开日期 | 2011-08-31 |
| 申请日期 | 2010-07-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47881]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孔端花,朱洪亮,梁松. 基于Y波导的双分布反馈激光器双放大器的制作方法. CN101938083B. 2011-08-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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