生长在Si衬底上的GaAs薄膜及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 李国强; 温雷; 高芳亮; 张曙光; 李景灵; 管云芳 |
| 发表日期 | 2017-12-01 |
| 专利号 | CN104835718B |
| 著作权人 | 华南理工大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 生长在Si衬底上的GaAs薄膜及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种生长在Si衬底上的GaAs薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)Si衬底清洗；(2)Si衬底预处理；(4)缓冲层的生长：在350～500℃的生长温度下，在经步骤(3)处理后的Si衬底表面生长2～20nm的InxGa1‑xAs缓冲层，0.08 |
| 公开日期 | 2017-12-01 |
| 申请日期 | 2015-03-23 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47882]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 华南理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李国强,温雷,高芳亮,等. 生长在Si衬底上的GaAs薄膜及其制备方法. CN104835718B. 2017-12-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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