化合物半导体发光器件的外延衬底及制造方法和发光器件
文献类型：专利
| 作者 | 山中贞则; 土田良彦; 小野善伸; 家近泰 |
| 发表日期 | 2011-01-19 |
| 专利号 | CN1484324B |
| 著作权人 | 住友化学工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 化合物半导体发光器件的外延衬底及制造方法和发光器件 |
| 英文摘要 | 为了提高发光效率而不致降低发光层结构的保护性能，设置了一种与发光层结构相接触的由第一到第三层组成的3-层p-型层结构。第一层是一层n-型AlGaN层，它用作保护层，第三层是一层GaN:Mg层，它用作接触层，形成在这两层之间的第二层是一层作为中间层的AlGaN:Mg层，设置中间层，即使在n-型AlGaN层做得很薄的情况下，也能使InGAN层在其上生长延层时得到彻底的防热保护，以此可以使GaN:Mg层设置得接近发光层结构，以增强向发光层结构中注入空穴的效率，从而提高发光效率。 |
| 公开日期 | 2011-01-19 |
| 申请日期 | 2003-07-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47888]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友化学工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山中贞则,土田良彦,小野善伸,等. 化合物半导体发光器件的外延衬底及制造方法和发光器件. CN1484324B. 2011-01-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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