低发散角单纵模边发射光子晶体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 渠红伟; 张冶金; 张建心; 刘磊 ; 马绍栋; 石岩; 郑婉华
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| 发表日期 | 2015-06-24 |
| 专利号 | CN103259188B |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 低发散角单纵模边发射光子晶体激光器 |
| 英文摘要 | 一种低发散角单纵模光子晶体边发射激光器，包括：在衬底上依次生长的N型光子晶体波导、N型下波导层、有源区、P型上波导层、P型上限制层，该P型上限制层的纵向剖面为一脊型结构，其上部的一侧为整体结构，另一侧为人工微结构，该人工微结构中包括多个狭槽，一P型欧姆接触层制作在P型上限制层脊型结构上部的上面，一绝缘层制作在P型上限制层脊型结构下部的上面和脊形结构上部的侧面，一P型电极制作在P型上限制层脊形结构的一侧、绝缘层的上面，该P型电极同时还制作在P型欧姆接触层的上面，一N型电极制作在衬底的背面。本发明可以降低制作成本；可以对激光器光场进行调控，降低了垂直发散角，改善了单纵模激光器光束质量，降低整形难度，提高光纤耦合的效率。 |
| 公开日期 | 2015-06-24 |
| 申请日期 | 2013-05-02 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47889]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 渠红伟,张冶金,张建心,等. 低发散角单纵模边发射光子晶体激光器. CN103259188B. 2015-06-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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