生长氮化镓晶体的方法
文献类型：专利
| 作者 | 冈久拓司; 元木健作; 上松康二; 中畑成二; 弘田龙; 井尻英幸; 笠井仁; 藤田俊介; 佐藤史隆; 松冈彻 |
| 发表日期 | 2010-04-21 |
| 专利号 | CN101086963B |
| 著作权人 | 住友电气工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 生长氮化镓晶体的方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种氮化镓晶体的生长方法，包括：在地衬底(U)上，部分形成抑制氮化镓晶体外延生长的掩模(M)的步骤；和在掺杂碳的同时，在形成了掩模(M)的地衬底(U)上外延生长氮化镓晶体的步骤。在外延生长中，第一晶体区从掩模(M)外围朝着内部生长。在所述第一晶体区中c轴方向相对于地衬底(U)中没有形成掩模(M)的区域上生长的第二晶体区反转。 |
| 公开日期 | 2010-04-21 |
| 申请日期 | 2007-06-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47895]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冈久拓司,元木健作,上松康二,等. 生长氮化镓晶体的方法. CN101086963B. 2010-04-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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