一种低线宽的F-P腔应变量子阱激光器
文献类型：专利
| 作者 | 李林; 张帆; 马晓辉; 李占国; 高欣; 曲铁; 薄报学; 刘国军 |
| 发表日期 | 2013-02-06 |
| 专利号 | CN102332681B |
| 著作权人 | 长春理工大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种低线宽的F-P腔应变量子阱激光器 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种低线宽的F-P腔应变量子阱激光器。所述的包括顺次连接的衬底(1)、缓冲层(2)、n型下限制层(3)、下波导层(4)、下势垒层(5)、有源层(6)、上势垒层(7)、上波导层(8)、p型上限制层(9)和欧姆接触层(10)；通过优化设计有源层6，使量子阱带间跃迁产生的线宽展宽因子与自由载流子吸收和带隙收缩产生的线宽展宽因子相互抵消，实现了低线宽，改善了量子阱激光器光束的质量。本发明的激光器的有源层为InxGa1-xAs材料，x＝0.33，阱宽厚度为3～5nm，中心波长λ＝980nm～1036nm，线宽较量子阱激光器线宽降低了3个数量级。可以用于光学测量、固体激光器泵浦、激光光谱学研究等领域。 |
| 公开日期 | 2013-02-06 |
| 申请日期 | 2011-08-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47901]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 长春理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李林,张帆,马晓辉,等. 一种低线宽的F-P腔应变量子阱激光器. CN102332681B. 2013-02-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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