氮化物半导体器件制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 木户口勋; 石桥明彦; 粂雅博; 伴雄三郎; 上山智 |
| 发表日期 | 2004-10-06 |
| 专利号 | CN1170347C |
| 著作权人 | 松下电器产业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 氮化物半导体器件制造方法 |
| 英文摘要 | 首先，将衬底温度升高到1020℃，在由蓝宝石构成的衬底(11)上顺序生长由n型Al0.1Ga0.9N组成的n型包层(14)、由n型GaN组成的n型光波导层(15)、及由n型Al0.2Ga0.8N组成的、抑制n型光波导层(15)构成原子的再蒸发的平坦性维持层(16)。接着，停止III族原料气体供给，将衬底温度降低到780℃，与此同时将运载气体由氢气更换为氮气，然后选择性导入V族源NH3、III族源TMI和TMG生长具有多量子阱结构的有源层(17)。 |
| 公开日期 | 2004-10-06 |
| 申请日期 | 1999-09-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47907]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下电器产业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 木户口勋,石桥明彦,粂雅博,等. 氮化物半导体器件制造方法. CN1170347C. 2004-10-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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