氮化镓激光器腔面的制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 田迎冬; 董鹏; 张韵; 闫建昌; 孙莉莉; 王军喜; 李晋闽 |
| 发表日期 | 2016-03-23 |
| 专利号 | CN103701037B |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 氮化镓激光器腔面的制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种氮化镓激光器腔面的制作方法，包括：在衬底上外延生长氮化镓激光器结构，得到外延片，氮化镓激光器结构从衬底一侧依次包括n型欧姆接触层、n型限制层、n型波导层、量子阱、电子阻挡层、p型波导层、p型限制层、p型欧姆接触层；在外延片的欧姆接触层上涂覆光刻胶；应用光刻版进行标准光刻；在外延层片上蒸镀金属；在外延层上制作金属掩膜；刻蚀到激光器的n型光限制层；采用腐蚀液腐蚀刻蚀得到的腔面的侧壁；去除外延层表面的金属掩膜。本发明通过感应等离子体刻蚀和碱性溶液腐蚀的方法得到表面平整光滑的腔面，从而了消除干法腐蚀工艺后离子轰击作用对腔面造成的损伤，修复了等离子体对腔面造成的损伤，提高腔面的发射率。 |
| 公开日期 | 2016-03-23 |
| 申请日期 | 2013-11-27 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47915]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田迎冬,董鹏,张韵,等. 氮化镓激光器腔面的制作方法. CN103701037B. 2016-03-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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