制造半导体元件的方法
文献类型：专利
| 作者 | 中西宏一郎; 沼居贵阳 |
| 发表日期 | 2004-09-29 |
| 专利号 | CN1169267C |
| 著作权人 | 佳能株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 制造半导体元件的方法 |
| 英文摘要 | 这里公开了一种制造半导体元件的方法，该方法包括以下步骤：制备衬底上包括突起区的半导体元件部件；将衬底上表面及突起区上表面和侧面掩埋于封装材料中；暴露突起区上表面；在突起区上表面上淀积电极材料；去掉封装材料。 |
| 公开日期 | 2004-09-29 |
| 申请日期 | 2000-05-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47919]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 佳能株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中西宏一郎,沼居贵阳. 制造半导体元件的方法. CN1169267C. 2004-09-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。