磷化铟基量子级联激光器原子层尺度外延材料质量控制方法
文献类型：专利
| 作者 | 李爱珍; 林春; 李华 ; 李存才; 胡建; 顾溢; 张永刚; 徐刚毅
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| 发表日期 | 2008-03-05 |
| 专利号 | CN100373723C |
| 著作权人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 磷化铟基量子级联激光器原子层尺度外延材料质量控制方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及用气态源分子束外延技术生长含砷含磷量子级联激光器结构原子层尺度外延材料质量控制方法。包括：(1)外延层原子层界面砷/磷原子混凝控制方法；(2)外延层的组份均匀性的控制；(3)外延层厚度的控制以及(4)外延层施主掺杂的控制方法。上述四方面质量控制已成功地用气态源分子束外延一步生长方法制备出一系列25级至100级含400-2200层的中红外波段InP基含砷含磷InP/InAlAs/InGaAs量子级联激光器结构材料。所制备的400-2200层的QCL结构都能做出优质器件，表明本发明的QCL原子层尺度外延材料质量控制方法是成功的。其思路也适合于其它III-V族化合物半导体材料与器件。 |
| 公开日期 | 2008-03-05 |
| 申请日期 | 2005-08-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47921]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李爱珍,林春,李华,等. 磷化铟基量子级联激光器原子层尺度外延材料质量控制方法. CN100373723C. 2008-03-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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