一种LED芯片及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | S·巴德尔; M·费雷尔; B·哈恩; V·海勒; H·-J·卢高尔 |
| 发表日期 | 2010-05-26 |
| 专利号 | CN1471735B |
| 著作权人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种LED芯片及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种用于制作具有一个以III-V族氮化物半导体材料为基的薄膜元件(11)的、产生辐射的半导体芯片的方法，首先在外延衬底(100)上淀积薄膜元件(11)，该薄膜元件与一个载体(5)连接，然后从该薄膜元件去掉外延衬底(100)。外延衬底(100)具有一个用多晶SiC或多晶GaN或用SiC、GaN或蓝宝石制成的衬底本体(1)，该衬底本体借助于一层粘附层(3)与一层生长层(2)连接，并在该生长层上用外延法淀积薄膜元件(11)的层序列。此外，描述了一个这样制作的产生辐射的半导体芯片。 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 申请日期 | 2001-08-31 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47925]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | S·巴德尔,M·费雷尔,B·哈恩,等. 一种LED芯片及其制造方法. CN1471735B. 2010-05-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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