氮化镓外延层及其制造方法和包括它的光电器件
文献类型：专利
| 作者 | B・比尤蒙特; P・吉巴尔特; J－C・古劳姆; G・纳塔夫; M・维尔; S・哈佛兹 |
| 发表日期 | 2007-08-01 |
| 专利号 | CN1329954C |
| 著作权人 | 卢米洛格股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 氮化镓外延层及其制造方法和包括它的光电器件 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种氮化镓(GaN)外延层的制造方法，其特征在于该方法包括在衬底表面上形成SixNy型介电薄膜；在足以抑制氮化镓小岛形成的温度下，在该介电薄膜上沉积连续的氮化镓层；在足以促进氮化镓小岛形成的温度下，退火该氮化镓层；在氮化镓小岛形成之后，进行氮化镓的外延生长。本发明还涉及能够采用该方法得到的氮化镓层。 |
| 公开日期 | 2007-08-01 |
| 申请日期 | 1998-10-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47930]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 卢米洛格股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | B・比尤蒙特,P・吉巴尔特,J－C・古劳姆,等. 氮化镓外延层及其制造方法和包括它的光电器件. CN1329954C. 2007-08-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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