量子点分子发光器件
文献类型：专利
| 作者 | 田芃; 黄黎蓉; 石中卫; 黄德修; 元秀华; 阎利杰 |
| 发表日期 | 2013-04-24 |
| 专利号 | CN102097564B |
| 著作权人 | 华中科技大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 量子点分子发光器件 |
| 英文摘要 | 本发明涉及量子点分子发光器件，该发光器件自下而上依次包含以下结构：下金锗镍金属电极层（1）、镓砷衬底（2）、镓砷缓冲层（3）、n型铝镓砷下包层（4）、镓砷下限制波导层（5）、量子点分子有源区、镓砷上限制波导层（9）、p型铝镓砷上包层（10）、p型镓砷欧姆接触层（11）、二氧化硅绝缘层（12）、上钛铂金金属电极层（13）；所述量子点分子有源区包含n个量子点分子层，每一个量子点分子层包括量子点分子（6）、应力缓冲层（7）和隔层（8），n为自然数，n≥1。本发明利用侧向耦合的量子点分子制成有源区结构及相应的发光器件，拓宽了量子点的应用范围，改善了低维半导体器件的性能。 |
| 公开日期 | 2013-04-24 |
| 申请日期 | 2010-11-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47936]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 华中科技大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田芃,黄黎蓉,石中卫,等. 量子点分子发光器件. CN102097564B. 2013-04-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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