耦合波导、其制作方法及应用其的半导体光电子器件
文献类型：专利
| 作者 | 熊兵; 朱军浩; 赵湘楠; 孙长征; 罗毅 |
| 发表日期 | 2014-09-03 |
| 专利号 | CN102419460B |
| 著作权人 | 清华大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 耦合波导、其制作方法及应用其的半导体光电子器件 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种耦合波导、其制作方法及应用其的半导体光电子器件。所述耦合波导包括衬底、下波导包层、第一波导芯层、隔离层、第二波导芯层和上波导包层，所述第二波导芯层具有横向宽度沿导光方向逐渐变化的宽度渐变段。其制作方法为：S1：一次外延依次生长下波导包层、第一波导芯层、隔离层以及第二波导芯层；S2：对所述第二波导芯层进行处理，形成宽度渐变段；S3：进行二次外延形成上波导包层。所述半导体光电子器件包括电吸收调制器或光探测器，所述耦合波导第二波导芯层与所述电吸收调制器或光探测器对应部分的横向宽度沿导光方向逐渐变窄。本发明可以根据需要对耦合波导各处横向光场的分布进行调整，进而优化器件光限制因子的分布。 |
| 公开日期 | 2014-09-03 |
| 申请日期 | 2011-09-16 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47940]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 清华大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 熊兵,朱军浩,赵湘楠,等. 耦合波导、其制作方法及应用其的半导体光电子器件. CN102419460B. 2014-09-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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