垂直腔表面发射激光器件 、垂直腔表面发射激光器阵列、光学扫描设备、成像设备、光学发射模块和光学发射系统
文献类型：专利
| 作者 | 轴谷直人; 佐藤俊一; 菅原悟; 本村宽 |
| 发表日期 | 2013-01-16 |
| 专利号 | CN102077428B |
| 著作权人 | 株式会社理光 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 垂直腔表面发射激光器件 、垂直腔表面发射激光器阵列、光学扫描设备、成像设备、光学发射模块和光学发射系统 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种垂直腔表面发射激光器件，其相对于衬底垂直发射光，并且包括：包括有源层的谐振器结构；和半导体多层反射器，该半导体多层反射器设置成在其间夹置该谐振器结构，并且包括限制结构，该限制结构同时限制注入的电流和振荡光的横向模式，所述限制结构具有氧化区域，该氧化区域围绕电流通过区域，氧化区域是通过氧化包含铝的选择性氧化层来形成的并包括至少一种氧化物，其中，所述选择性氧化层在厚度上至少为25nm；且所述半导体多层发射器包括减小在横向上的光学限制的光学限制减弱区域，并且该光学限制减弱区域相对于谐振器结构设置在衬底侧上。 |
| 公开日期 | 2013-01-16 |
| 申请日期 | 2009-04-28 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47943]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社理光 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 轴谷直人,佐藤俊一,菅原悟,等. 垂直腔表面发射激光器件 、垂直腔表面发射激光器阵列、光学扫描设备、成像设备、光学发射模块和光学发射系统. CN102077428B. 2013-01-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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