其上具有半导体器件的单晶氧化物的生长方法
文献类型：专利
| 作者 | 李浩; 拉温德拉纳特・德罗帕德; 丹・S・马歇尔; 魏义; 小・M・胡; 梁勇 |
| 发表日期 | 2008-01-02 |
| 专利号 | CN100359648C |
| 著作权人 | 飞思卡尔半导体公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 其上具有半导体器件的单晶氧化物的生长方法 |
| 英文摘要 | 在例如硅晶片的单晶衬底(72)上生长高品质单晶金属氧化物层(74)。在足够低以防止硅衬底的有害的并同时存在的氧化的温度下，在硅衬底上生长单晶金属氧化物。在生长一层1-3单原子层的单晶氧化物之后，停止生长并且通过较高温度退火提高该层的结晶品质。退火之后，通过重新开始低温生长可以增加层的厚度。在单晶氧化物的厚度达到几个单原子层之后，可以在单晶金属氧化物层和硅衬底之间的界面处生长非晶氧化硅层(78)。 |
| 公开日期 | 2008-01-02 |
| 申请日期 | 2003-04-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47945]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 飞思卡尔半导体公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李浩,拉温德拉纳特・德罗帕德,丹・S・马歇尔,等. 其上具有半导体器件的单晶氧化物的生长方法. CN100359648C. 2008-01-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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