带间级联激光器及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 邢军亮; 张宇; 徐应强; 王国伟; 王娟; 向伟; 任正伟; 牛智川 |
| 发表日期 | 2015-11-18 |
| 专利号 | CN103579904B |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 带间级联激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种带间级联激光器及其制备方法。该带间级联激光器在有源区InGaSb中插入InAs层，形成一空穴势垒，使得空穴波函数向两侧拓展，从而增加了空穴于电子波函数的交叠，电子空穴波函数在无外场作用下的交叠程度为15.407％，比传统的InAs/InGaSb/InAs？W型量子阱无外场波函数交叠提高了5.03％，从而提高了有源区增益。 |
| 公开日期 | 2015-11-18 |
| 申请日期 | 2013-11-08 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47952]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邢军亮,张宇,徐应强,等. 带间级联激光器及其制备方法. CN103579904B. 2015-11-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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