基于放大反馈实现直调带宽扩展的单片集成激光器芯片
文献类型：专利
| 作者 | 余力强; 吉晨; 赵玲娟; 陆丹; 王浩 ; 郭露
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| 发表日期 | 2017-11-21 |
| 专利号 | CN104377544B |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 基于放大反馈实现直调带宽扩展的单片集成激光器芯片 |
| 英文摘要 | 一种基于放大反馈实现直调带宽扩展的单片集成激光器芯片，包括：一下限制层；一有源层，其制作在下限制层上；一上限制层，其制作在有源层上；一波导层，为条状，其纵向制作在上限制层上面的中间；一P+电极层，其是用隔离沟将其分为三段，其制作在波导层上；一N+电极层，其制作在下限制层的背面；其中分为三段的P+电极层分别对应为DFB激光器区、无源相位调节区和有源放大反馈区，该DFB激光器区对应的上限制层部分制作有分布反馈Bragg光栅层；该无源相位调节区对应的有源层与DFB激光器区和有源放大反馈区对应的有源层的增益峰存在90nm蓝移。本发明可以突破普通激光器芯片的直调带宽限制，用一种巧妙、有效且成本低的方法实现激光器直调带宽的扩展。 |
| 公开日期 | 2017-11-21 |
| 申请日期 | 2014-11-28 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47956]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 余力强,吉晨,赵玲娟,等. 基于放大反馈实现直调带宽扩展的单片集成激光器芯片. CN104377544B. 2017-11-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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