半导体光电子波导通路
文献类型：专利
| 作者 | 石桥忠夫; 安藤精后; 都筑健 |
| 发表日期 | 2008-11-05 |
| 专利号 | CN100430780C |
| 著作权人 | NTT电子股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体光电子波导通路 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种具有可执行光调制器的稳定动作之nin型异质结构的半导体光电子波导通路。在构造确定为在动作光波长下光电效果有效作用、且光吸收不成问题的芯层(11)的上面与下面，为了使光吸收产生的载流子不在异质界面处陷波，设置具有比芯层(11)的频带间隙大的频带间隙之中间包覆层(12-1和12-2)，在中间包覆层(12-1)的上面和中间包覆层(12-2)的下面，分别设置具有比这些中间包覆层大的频带间隙之包覆层(13-1和13-2)。在包覆层(13-1)的上面，依次层叠p型层(15)与n型层(16)，在动作状态下使用的施加电压范围下，耗尽p型层(15)的整个区域与n型层(16)的部分区域或整个区域。 |
| 公开日期 | 2008-11-05 |
| 申请日期 | 2004-10-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47966]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NTT电子股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石桥忠夫,安藤精后,都筑健. 半导体光电子波导通路. CN100430780C. 2008-11-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。