光接收元件和具有光接收元件的光子半导体器件
文献类型：专利
| 作者 | 西村晋; 本多正治; 上山孝二 |
| 发表日期 | 2005-08-31 |
| 专利号 | CN1217422C |
| 著作权人 | 三洋电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 光接收元件和具有光接收元件的光子半导体器件 |
| 英文摘要 | 一种光接收元件，具有形成于半导体衬底顶面一部分以便起到光接收区域作用的光电二极管，并且具有在半导体衬底顶部不形成光接收区域的地方形成的发光元件装配电极。高浓度杂质层沿着发光元件装配电极的围缘在半导体衬底顶面下形成。这有助于防止施加到发光元件装配电极的电压影响光接收元件的输出。可选地，一种光子半导体器件，具有发光元件和光接收元件，并且具有平行于发光元件发光方向而形成的光接收元件的光接收区域。发光元件的布置，使得当以平面图观看时，其发光点与光接收区域的至少一部分重叠。这允许容易地安装即使具有低发光点的发光元件，因此有助于减小光接收灵敏度的变化。 |
| 公开日期 | 2005-08-31 |
| 申请日期 | 2001-09-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47967]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西村晋,本多正治,上山孝二. 光接收元件和具有光接收元件的光子半导体器件. CN1217422C. 2005-08-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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